1、回顾前面：

     半导体材料   

         本征半导体：完全纯净、晶格完整的半导体。

         杂质半导体:   （微量）

              N型半导体：在本征半导体中加入五价元素（P），在保持晶体结构不变的情况下，电子是多子。

              P型半导体：在本征半导体中加入三价元素（B），在保持晶体结构不变的情况下，空穴是多子。

      结论：加入P不是P，而是N。

2、PN结的形成原理和过程

   2.1知识铺垫：

          扩散运动：指电子和空穴从浓度高的地方向浓度低的地方运动。

          漂移运动：半导体中的少数载流子在电场力的作用下的运动。

   2.2 PN结的形成

    刚开始扩散运动使电子与空穴复合，那么在P区与N区的交界面处留下不能移动带正电和带负电的离子的区域，如图的中间深色区域，称为空 间电荷区，这就是PN结，在空间电荷区中不再存在载流子，只有不能移动的带电离子形成电场的效果，称作PN结的自建电场，图示方向由N区指向P区。

    刚开始时，扩散运动强于漂移运动，使空间电荷区不断加宽，内电场也随之增强，这又使漂移运动增强，空间电荷区变窄，最后当两种运动达到动态平衡时，内电场保持稳定，便形成了PN结。

    结论：动态平衡                  

3、PN结的单向导电性

    PN结是构成多种半导体器件的基础，那么半导体器件接在电路中，作为元器件，两边就有电位差，就相当于在PN结两端加电压，那就只有两种可能性，左正右负或左负右正。

   3.1  PN结正向导通(P指向 N)

    P区加正电压，N区加负电压，如图示，则产生的外电场与内电场方向相反，削弱了内电场的作用，促使扩散运动增强，电流增大；同时空间电荷区中一部分正负离子被扩散进来的电子和空穴中和，空间电荷量减少，结果使空间电荷区变薄；外电源源源不断地提供多子通过PN结，从而形成了比较大的通过PN结的正向导通电流，那么正向导通电阻较小。

   3.2  PN结反向截止(N指向 P)

    P区加负电压，N区加正电压，如图示，则产生的外电场与内电场方向相同，加强了内电场的作用，促使扩散运动非常微弱，电流为零；同时空间电荷区中的正负离子增多，拉大了空间电荷区的区域，结果使空间电荷区变厚；在加大了的电场力作用下，扩散电流为零，那么少子的漂移电流就表现了出来，只是少子的量少，所以形成的电流很小，而且方向与前面正偏时相反，称反方向小电流。相对于PN结正向导通而言，称作PN结反向截止。

结论：PN结加正向偏置电压就导通，加反向偏置电压就截止，具有单向导电性的特点。

4、引入二极管

         PN结是构成多种半导体器件的基础，联想原来学过的具有单向导电性的物理器  

     件二极管，引入了下次课的内容。

5、总结、布置作业

    5.1 本次课学习了PN结的形成

即：       浓度差                                                   

        多子的扩散运动                

          空间电荷区 

        少子的漂移运动

                           阻碍了多子的扩散运动

         稳定的自建电场                             动态平衡

                           增强了少子的漂移运动

    5.2 PN结的单向导电特性

          PN结加正向偏置电压（压降为P 指向N）就导通，

          PN结加反向偏置电压（压降为N指向P）就截止，

            故，PN结具有单向导电性的特点。